Personīgais profils
OECD zinātņu nozares
- 1.3 Fizika un astronomija
- 2. Inženierzinātnes un tehnoloģijas
- 1.1 Matemātika
- 2.5 Materiālzinātne
Zināšanu joma saistībā ar ANO ilgtspējīgas attīstības mērķiem
2015. gadā ANO dalībvalstis vienojās par 17 globāliem ilgtspējīgas attīstības mērķiem (IAM), lai izskaustu nabadzību, aizsargātu planētu un nodrošinātu labklājību visiem. Šīs personas darbs veicina šādu(-s) IAM:
-
7. IAM — Tīra Enerģija par Pieejamu Cenu -
9. IAM — Rūpniecība, Inovācija un Infrastruktūra
Nospiedums
Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām, kur Armands Krauze ir aktīvs. Šīs tēmas marķējumi nāk no šīs personas darbiem. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.
- 1 Līdzīgi Profili
Sadarbība un galvenās pētniecības jomas pēdējos piecos gados
Pēdējā ārējā sadarbība valsts/teritorijas līmenī. Uzziniet informāciju, noklikšķinot uz punktiem vai
Zinātniskās darbības rezultāts
-
Reduction of aluminium contamination in electron-beam melting of feed rods for 300 mm FZ silicon crystal growth
Kravtsov, A., Krauze, A., Virbulis, J. & Chikvaidze, G., 1 janv. 2026, (gadā): Journal of Crystal Growth. 673, 128390.Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālam › Zinātniskais raksts (žurnālā) › koleģiāli recenzēts
-
DENSITY-BASED TOPOLOGICAL OPTIMIZATION OF 3D-PRINTED CASTS FOR FRACTURE TREATMENT WITH FREEFEM SOFTWARE
Kokars, K., Krauze, A., Muižnieks, K., Virbulis, J., Verners, P., Gutcaits, A. & Olins, J., 1 dec. 2023, (gadā): Latvian Journal of Physics and Technical Sciences. 60, lpp. 124-141 18 lpp.Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālam › Zinātniskais raksts (žurnālā) › koleģiāli recenzēts
Atvērtā Piekļuve1 Atsauce (Scopus) -
Reduction of impurity sources in Si crystal growth system with electron gun beam heating
Kravtsov, A., Virbulis, J. & Krauze, A., 11 okt. 2021, (gadā): Lithuanian Journal of Physics. 61, 3, lpp. 183-190Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālam › Zinātniskais raksts (žurnālā) › koleģiāli recenzēts
Atvērtā Piekļuve1 Atsauce (Scopus) -
3D modeling of growth ridge and edge facet formation in 〈100〉 floating zone silicon crystal growth process
Krauze, A., Virbulis, J., Zitzelsberger, S. & Ratnieks, G., 15 aug. 2019, (gadā): Journal of Crystal Growth. 520, lpp. 68-71 4 lpp.Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālam › Zinātniskais raksts (žurnālā) › koleģiāli recenzēts
5 Atsauces (Scopus) -
Validation of a 3D mathematical model for feed rod melting during floating zone Si crystal growth
Plāte, M., Dadzis, K., Krauze, A., Menzel, R. & Virbulis, J., 1 sept. 2019, (gadā): Journal of Crystal Growth. 521, lpp. 46-49 4 lpp.Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālam › Zinātniskais raksts (žurnālā) › koleģiāli recenzēts
3 Atsauces (Scopus)