Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

A new mechanism of the rise of a weakly temperature-dependent exponential current characteristic in heterophotoconverters

  • Fizika-Solntse Academy of Sciences

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālamZinātniskais raksts (žurnālā)koleģiāli recenzēts

Kopsavilkums

A new mechanism of the rise of a weakly temperature-dependent exponential current characteristic in heterophotoconverters, being the consequence of the rise of an i-region at the heterojunction interface, is proposed. The i-region is characterized by the high concentration of traps forming a quasi-continuous impurity spectrum in the energy band gap. The theory and experiment for Cu 2S/CdS solar cells agree well.

OriģinālvalodaAngļu
Lapas (no-līdz)1-6
Lapu skaits6
ŽurnālsApplied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika)
Sējums35
Izdevuma numurs3
Publikācijas statussPublicēts - 1999
Ārēji publicēts

ANO IAM

Šis izpildes rezultāts palīdz sasniegt šādus ANO ilgtspējīgas attīstības mērķus (IAM)

  1. 7. IAM — Tīra Enerģija par Pieejamu Cenu
    7. IAM — Tīra Enerģija par Pieejamu Cenu

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “A new mechanism of the rise of a weakly temperature-dependent exponential current characteristic in heterophotoconverters”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo