Kopsavilkums
A new mechanism of the rise of a weakly temperature-dependent exponential current characteristic in heterophotoconverters, being the consequence of the rise of an i-region at the heterojunction interface, is proposed. The i-region is characterized by the high concentration of traps forming a quasi-continuous impurity spectrum in the energy band gap. The theory and experiment for Cu 2S/CdS solar cells agree well.
| Oriģinālvaloda | Angļu |
|---|---|
| Lapas (no-līdz) | 1-6 |
| Lapu skaits | 6 |
| Žurnāls | Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika) |
| Sējums | 35 |
| Izdevuma numurs | 3 |
| Publikācijas statuss | Publicēts - 1999 |
| Ārēji publicēts | Jā |
ANO IAM
Šis izpildes rezultāts palīdz sasniegt šādus ANO ilgtspējīgas attīstības mērķus (IAM)
-
7. IAM — Tīra Enerģija par Pieejamu Cenu
Nospiedums
Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “A new mechanism of the rise of a weakly temperature-dependent exponential current characteristic in heterophotoconverters”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.Citēt šo
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver