Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Analysis of magnetic field effect on 3D melt flow in CZ Si growth

  • N. G. Ivanov
  • , A. B. Korsakov
  • , E. M. Smirnov
  • , K. V. Khodosevitch
  • , V. V. Kalaev
  • , Yu N. Makarov*
  • , E. Dornberger
  • , J. Virbulis
  • , W. Von Ammon
  • *Šī darba korespondējošais autors
  • Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University
  • Soft-Impact Ltd.
  • STR Inc.
  • Siltronic AG

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālam › Konferences zinātniskais raksts › koleģiāli recenzēts

51 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

Three-dimensional turbulent melt convection in an industrial Czochralski Si-crystal growth system subjected to action of an axial stationary magnetic field is numerically simulated using a hybridization of the Reynolds-averaged Navier-Stokes approach and large-eddy simulation. The proposed RANS/LES model is based on a differential model of turbulence. The results obtained with three computational models differing in the number of considered hot-zone components are presented and compared with the experimental data for temperature in the melt and along the melt-crucible surface. The influence of electrical currents in the crystal on melt motion reorganization is studied.

OriģinālvalodaAngļu
Lapas (no-līdz)183-188
Lapu skaits6
ŽurnālsJournal of Crystal Growth
Sējums250
Izdevuma numurs1-2
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - marts 2003
Ārēji publicētsJā
PasākumsACCGE-14 - Seatle, WA, Amerikas Savienotās Valstis
Ilgums: 4 aug. 2002 → 9 aug. 2002

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Analysis of magnetic field effect on 3D melt flow in CZ Si growth”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo