Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Antiferroelectric PbZrO3 thin films: Structure, properties and irradiation effects

  • A. Sternberg*
  • , K. Kundzins
  • , V. Zauls
  • , I. Aulika
  • , L. Čakare
  • , R. Bittner
  • , H. Weber
  • , K. Humer
  • , D. Lesnyh
  • , D. Kulikov
  • , Y. Trushin
  • *Šī darba korespondējošais autors
  • University of Latvia
  • J. Stefan Institute
  • TU Wien
  • Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālamZinātniskais raksts (žurnālā)koleģiāli recenzēts

15 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

Irradiation effects on highly oriented antiferroelectric PbZrO3 and ferroelectric Pb0.92La0.08(Zr0.65Ti0.35) O3 thin films are investigated being exposed to neutron irradiation up to fluence 2*1022 m-2. The higher resistance of antiferroelectric PbZrO3 thin films as compared to ferroelectric heterostructures to large fluences of neutron irradiation is recognized and discussed. Influence of two factors (structural and charge) was taken into account analysing irradiation effects on materials of different polarization states: ferroelectric PLZT (ceramics and thin films) and antiferroelectric PbZrO3 films.

OriģinālvalodaAngļu
Lapas (no-līdz)1653-1657
Lapu skaits5
ŽurnālsJournal of the European Ceramic Society
Sējums24
Izdevuma numurs6
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - jūn. 2004

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Antiferroelectric PbZrO3 thin films: Structure, properties and irradiation effects”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo