Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Asymmetric NDI electron transporting SAM materials for application in photovoltaic devices

  • Lauryna Monika Svirskaite
  • , Sreekanth Mandati
  • , Nicolae Spalatu
  • , Vida Malinauskiene
  • , Smagul Karazhanov
  • , Vytautas Getautis
  • , Tadas Malinauskas*
  • *Šī darba korespondējošais autors
  • Kaunas University of Technology
  • Tallinn University of Technology
  • Institute for Energy Technology

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālamZinātniskais raksts (žurnālā)koleģiāli recenzēts

4 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

New electron transporting materials containing 1,4,5,8,-naphtalenetetracarboxylic diimide central fragment along with various anchoring groups were synthesized and investigated for possible application in photovoltaic devices. These semiconductors demonstrated good thermal stability and suitable electrochemical properties for effective electron transport from absorber layer to cathode. Self-assembled monolayers of reported derivatives have shown increased contact angle, which indicates bond formation between monolayer forming molecules and Sb2S3, Sb2Se3 or perovskite surface. Favorable energetic band alignment and possibility to modify absorber layer surface makes them promising candidates for application in perovskite or antimony chalcogenide solar cells.

OriģinālvalodaAngļu
Raksta numurs117214
ŽurnālsSynthetic Metals
Sējums291
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - dec. 2022
Ārēji publicēts

ANO IAM

Šis izpildes rezultāts palīdz sasniegt šādus ANO ilgtspējīgas attīstības mērķus (IAM)

  1. 7. IAM — Tīra Enerģija par Pieejamu Cenu
    7. IAM — Tīra Enerģija par Pieejamu Cenu

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Asymmetric NDI electron transporting SAM materials for application in photovoltaic devices”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo