Comparison between 2D and 3D modelling of HF electromagnetic field in FZ Silicon Crystal growth process

Zinātniskās darbības rezultāts: Nodaļa grāmatā/enciklopēdijā/konferences krājumā › Konferences zinātniskais raksts › Pētniecība

Oriģinālvaloda	Angļu
Rīkotāja publikācijas nosaukums	Proceedings of the 6th International Scientific Colloquium Modelling for Material Processing : Riga, September 16-17, 2010
Publikācijas vieta	Rīga
Izdevējs	University of Latvia
Lapas	61-65
Publikācijas statuss	Publicēts - 2010

OECD Zinātnes nozare

@inproceedings{3d997abe9a24433b95d4e7464ad2efa7,

title = "Comparison between 2D and 3D modelling of HF electromagnetic field in FZ Silicon Crystal growth process",

author = "Andris Mui{\v z}nieks and Uģis Lācis and Andis Rudevi{\v c}s",

year = "2010",

language = "English",

pages = "61--65",

booktitle = "Proceedings of the 6th International Scientific Colloquium Modelling for Material Processing : Riga, September 16-17, 2010",

publisher = "University of Latvia",

address = "Latvia",

}

Comparison between 2D and 3D modelling of HF electromagnetic field in FZ Silicon Crystal growth process. / Muižnieks, Andris; Lācis, Uģis; Rudevičs, Andis.
Proceedings of the 6th International Scientific Colloquium Modelling for Material Processing : Riga, September 16-17, 2010. Rīga: University of Latvia, 2010. lpp. 61-65.

Zinātniskās darbības rezultāts: Nodaļa grāmatā/enciklopēdijā/konferences krājumā › Konferences zinātniskais raksts › Pētniecība

TY - GEN

T1 - Comparison between 2D and 3D modelling of HF electromagnetic field in FZ Silicon Crystal growth process

AU - Muižnieks, Andris

AU - Lācis, Uģis

AU - Rudevičs, Andis

PY - 2010

Y1 - 2010

M3 - Conference paper

SP - 61

EP - 65

BT - Proceedings of the 6th International Scientific Colloquium Modelling for Material Processing : Riga, September 16-17, 2010

PB - University of Latvia

CY - Rīga

ER -