Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Defect assisted intrinsic luminescence in Al2O3 crystals

  • P. Kulis
  • , Z. Rachko
  • , M. Springis
  • , I. Tale
  • , J. Jansons
  • University of Latvia

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālamZinātniskais raksts (žurnālā)koleģiāli recenzēts

19 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

The origin of the luminescence bands at 7.5 eV anv 3.8 eV appearing additionaly to the luminescence of F- and F + - centres in pure AI2O3 are investigated. The time - resolved luminescence spectra, absorption and luminescence excitation spectra as well as trap spectroscopy data depending on deviation from the stochiometry of crystals are discussed in terms of self - trapping of excitons in two configurations. The role of defects due to annihilation of excitons is considered.

OriģinālvalodaAngļu
Lapas (no-līdz)963-968
Lapu skaits6
ŽurnālsRadiation Effects and Defects in Solids
Sējums119-121
Izdevuma numurs2
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - 1991

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Defect assisted intrinsic luminescence in Al2O3 crystals”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo