Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Design and structural characteristics of Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs Heterostructures for Advanced MEMS Applications

  • Suchikova Yana
  • , Suchikova
  • , Yana
  • , Kovachov Sergii
  • , Kovachov
  • , Bohdanov Ihor
  • , Sergii
  • , Kosogov Ivan
  • , Bohdanov
  • , Drozhcha Dariya
  • , Ihor
  • , Kosogov
  • , Ivan
  • , Drozhcha
  • , Dariya
  • , Anatolijs Popovs

Zinātniskās darbības rezultāts: Nodaļa grāmatā/enciklopēdijā/konferences krājumāKonferences zinātniskais rakstsPētniecībakoleģiāli recenzēts

3 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

This study presents the synthesis and comprehensive characterization of a Ga2O3 por-GaAs/mono-GaAs heterostructure. Utilizing a combination of electrochemical etching and oxygen annealing, we have successfully fabricated a heterostructure that incorporates both crystalline and porous layers. XRD and Raman spectroscopy confirmed the presence of crystalline β-Ga2O3 and GaAs phases, while SEM analysis revealed a highly porous morphology indicative of a complex phase composition. The structural integrity and quality of the heterostructure offer promising implications for MEMS technologies, leveraging the unique properties of the composite materials for enhanced device performance.

OriģinālvalodaAngļu
Rīkotāja publikācijas nosaukums2024 IEEE 19th International Conference on the Perspective Technologies and Methods in MEMS Design, MEMSTECH 2024 - Proceedings
Lapas48-51
Lapu skaits4
ISBN (Elektroniski)9798350378627
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - 2024

Publikāciju sērijas

NosaukumsInternational Conference on Perspective Technologies and Methods in MEMS Design
ISSN (Drukātā versija)2573-5357
ISSN (Elektroniskā versija)2573-5373

OECD Zinātnes nozare

  • 1.3 Fizika un astronomija

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Design and structural characteristics of Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs Heterostructures for Advanced MEMS Applications”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo