Kopsavilkums
This paper describes computational simulations of some atomic and electronic defects in MgO and alpha-Al2O3, using ab initio, semi-empirical, and pair-potential methods.
| Oriģinālvaloda | Angļu |
|---|---|
| Lapas (no-līdz) | 132-137 |
| Lapu skaits | 6 |
| Žurnāls | Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering |
| Sējums | 2967 |
| DOIs | |
| Publikācijas statuss | Publicēts - 1997 |
| Pasākums | Optical Inorganic Dielectric Materials and Devices - Riga, Latvija Ilgums: 26 aug. 1996 → 26 aug. 1996 |
Nospiedums
Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Formation, diffusion, and aggregation of radiation-induced defects in MgO and α-Al2O3”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.Citēt šo
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver