Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

FTIR studies of silicon carbide 1D- nanostructures

  • I. Karbovnyk
  • , P. Savchyn
  • , A. Huczko
  • , M. Cestelli Guidi
  • , C. Mirri
  • , A. I. Popov

Pētījuma izpildes rezultāts: Nodaļa grāmatā/enciklopēdijā/konferences krājumāKonferences zinātniskais rakstsPētniecībakoleģiāli recenzēts

16 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

Stable 1D silicon carbide nanostructures (nanowires) have been obtained via combustion synthesis route. Infrared absorption and reflection spectra for as-obtained and purified SiC nanowires were compared with the spectra of commercially available SiC nanomaterials. Principal vibrational modes have been identified. Reflectivity spectrum has been reconstructed by modeling of the dielectric function.

OriģinālvalodaAngļu
Rīkotāja publikācijas nosaukumsSilicon Carbide and Related Materials 2014
RedaktoriDidier Chaussende, Gabriel Ferro
IzdevējsTrans Tech Publications Ltd
Lapas261-264
Lapu skaits4
ISBN (Drukātā versija)9783038354789
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - 2015
PasākumsEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2014 - Grenoble, Francija
Ilgums: 21 sept. 201425 sept. 2014

Publikāciju sērijas

NosaukumsMaterials Science Forum
Sējums821-823
ISSN (Drukātā versija)0255-5476
ISSN (Elektroniskā versija)1662-9752

Konference

KonferenceEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2014
Valsts/TeritorijaFrancija
PilsētaGrenoble
Periods21/09/1425/09/14

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “FTIR studies of silicon carbide 1D- nanostructures”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo