Growth temperature influence on the GaN nanowires grown by MOVPE technique

Lauris Dimitročenko; Kārlis Kundziņš; Mishnev A.; Ivars Tāle; Anatolijs Mišņovs; Andris Voitkāns; Kūlis Pēteris; Mišņevs Anatolijs

Growth temperature influence on the GaN nanowires grown by MOVPE technique

Lauris Dimitročenko
, Kārlis Kundziņš
, Mishnev A.
, Ivars Tāle
, Anatolijs Mišņovs
, Andris Voitkāns
, Kūlis Pēteris
, Mišņevs Anatolijs

LU Cietvielu fizikas institūts

Pētījuma izpildes rezultāts: Nodaļa grāmatā/enciklopēdijā/konferences krājumā › Konferences tēzes (tēžu krājumā) › Pētniecība › koleģiāli recenzēts

Oriģinālvaloda	Angļu
Rīkotāja publikācijas nosaukums	Functional materials and nanotechnologies
Rīkotāja publikācijas apakšnosaukums	international conference, FM&NT 2011 - Conference program, Book of Abstracts
Lapas	192-192
Publikācijas statuss	Publicēts - 2011

Citēt šo

@inbook{bca06d9da9e345b3ad888894984f14bf,

title = "Growth temperature influence on the GaN nanowires grown by MOVPE technique",

author = "Lauris Dimitro{\v c}enko and Kārlis Kundziņ{\v s} and Mishnev A. and Ivars Tāle and Anatolijs Mi{\v s}ņovs and Andris Voitkāns and Kūlis Pēteris and Mi{\v s}ņevs Anatolijs",

year = "2011",

language = "English",

pages = "192--192",

booktitle = "Functional materials and nanotechnologies",

}

Growth temperature influence on the GaN nanowires grown by MOVPE technique. / Dimitročenko, Lauris ; Kundziņš, Kārlis; A., Mishnev u.c.
Functional materials and nanotechnologies: international conference, FM&NT 2011 - Conference program, Book of Abstracts. 2011. lpp. 192-192.

Pētījuma izpildes rezultāts: Nodaļa grāmatā/enciklopēdijā/konferences krājumā › Konferences tēzes (tēžu krājumā) › Pētniecība › koleģiāli recenzēts

TY - CHAP

T1 - Growth temperature influence on the GaN nanowires grown by MOVPE technique

AU - Dimitročenko, Lauris

AU - Kundziņš, Kārlis

AU - A., Mishnev

AU - Tāle, Ivars

AU - Mišņovs, Anatolijs

AU - Voitkāns, Andris

AU - Pēteris, Kūlis

AU - Anatolijs, Mišņevs

PY - 2011

Y1 - 2011

M3 - Meeting abstract

SP - 192

EP - 192

BT - Functional materials and nanotechnologies

ER -