Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Hole self-trapping and recombination in LiBaF3

  • I. Tale*
  • , H. J. Fitting
  • , P. Kulis
  • , V. Ogorodnik
  • , U. Rogulis
  • , M. Spriņģis
  • , V. Tale
  • , J. Trokšs
  • , A. Veispals
  • *Šī darba korespondējošais autors
  • University of Rostock
  • University of Latvia

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālamKonferences zinātniskais rakstskoleģiāli recenzēts

12 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

We investigated the electron paramagnetic resonance (EPR), recombination afterglow and thermostimulated luminescence (TSL) of the X-irradiated LiBaF3 crystals. After X-irradiation at 80 K, an EPR of the self-trapped hole centre VK (F2-) oriented along the [110] axis is identified. X-irradiation at temperatures below 200 K results in a creation of a long-term temperature-independent afterglow - tunnelling luminescence (TL), with main emission bands at 300, 430 and 430 nm. The short wavelength TL bands are associated with the tunnelling recombination of the electron centre with the VK centre, with thermal stability estimated to be about 130 K.

OriģinālvalodaAngļu
Lapas (no-līdz)269-272
Lapu skaits4
ŽurnālsRadiation Effects and Defects in Solids
Sējums149
Izdevuma numurs1 -4 pt 1
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - 1999
PasākumsProceedings of the 1998 8th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials, EURODIM 98 - Keele, UK
Ilgums: 6 jūn. 199811 jūn. 1998

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Hole self-trapping and recombination in LiBaF3”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo