Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Impedance and admittance characteristics of Bi2S3 nanowire arrays

Pētījuma izpildes rezultāts: Devums žurnālamKonferences zinātniskais rakstskoleģiāli recenzēts

1 Atsauce (Scopus)

Kopsavilkums

Current studies of the electrical impedance and admittance characteristics of the anodised aluminum oxide (AAO) nanoporous arrays and bismuth sulphide (Bi2S3) nanowire within AAO membranes are presented. The influence of potential and frequency scan rate effect produced on the real, imaginary and complex electrochemical impedance and double layer capacitance of the AAO nanopore and the Bi2S3 nanowire arrays were studied.

OriģinālvalodaAngļu
Raksta numurs012007
ŽurnālsIOP Conference Series: Materials Science and Engineering
Sējums49
Izdevuma numurs1
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - 2013
PasākumsInternational Conference on Functional Materials and Nanotechnologies 2013, FM and NT 2013 - Tartu, Igaunija
Ilgums: 21 apr. 201324 apr. 2013

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Impedance and admittance characteristics of Bi2S3 nanowire arrays”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo