Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Interstitial OH radicals in F2-laser-irradiated bulk amorphous SiO2

  • Koichi Kajihara*
  • , Masahiro Hirano
  • , Linards Skuja
  • , Hideo Hosono
  • *Šī darba korespondējošais autors
  • Japan Science and Technology Agency
  • Institute of Science Tokyo

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālamZinātniskais raksts (žurnālā)koleģiāli recenzēts

6 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

An interstitial hydroxyl radical (HȮ) has been generated in bulk amorphous SiO2 (a-SiO2) loaded with interstitial H2O molecules and exposed to F2 laser light (hv = 7.9 eV, λ = 157 nm) at 77 K. F2 laser light dissociates an O-H bond of interstitial H2O into a pair of hydrogen atom (Ḣ) and HO0. The resultant H0 disappears below 150 K, whereas HȮ is detectable after thermal annealing at 200 K. The electron paramagnetic resonance (EPR) signal of the interstitial HȮ recorded at 77 K is similar to that formed in amorphous ice, indicating that HȮ is confined in an orthorhombic field by hydrogen bonding, probably with adjacent H2O molecules, silanol (SiOH) groups, and bridging oxygen atoms in the a-SiO2 network.

OriģinālvalodaAngļu
Lapas (no-līdz)10224-10227
Lapu skaits4
ŽurnālsJournal of Physical Chemistry B
Sējums110
Izdevuma numurs21
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - 1 jūn. 2006

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Interstitial OH radicals in F2-laser-irradiated bulk amorphous SiO2”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo