Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Investigation of Photoluminescence and Raman Emission of Porous Gallium Phosphide

  • Yana Suchikova
  • , Sergii Kovachov
  • , Zhakyp Karipbaev
  • , Yaroslav Zhydachevskyy
  • , Ihor Bohdanov
  • , Anatolijs Popovs
  • Berdyansk State Pedagogical University
  • L.N. Gumilyov Eurasian National University 2 Satpayev Str. Nur-Sultan

Zinātniskās darbības rezultāts: Nodaļa grāmatā/enciklopēdijā/konferences krājumāKonferences zinātniskais rakstsPētniecībakoleģiāli recenzēts

Kopsavilkums

This article presents a study of porous gallium phosphode (GaP) utilizing photoluminescence (PL) and Raman spectroscopy, followed by its synthesis by electrochemical etching. The investigation identifies a blue shift in the PL peak, indicative of quantum confinement phenomena, and spectral confirmation of structural integrity through Raman analysis. Deconvolution of the PL emission into Gaussian components further demarcates a complex defect structure. These results contribute significantly to the discussion on the impact of nanostructuring on semiconductor properties, providing a pathway to the refined application of GaP in optoelectronic device engineering.

OriģinālvalodaAngļu
Rīkotāja publikācijas nosaukums2024 IEEE 42nd International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2024 - Proceedings
Lapas227-230
Lapu skaits4
ISBN (Elektroniski)9798350368178
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - 2024

Publikāciju sērijas

NosaukumsProceedings - IEEE International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO
ISSN (Drukātā versija)2377-6935
ISSN (Elektroniskā versija)2693-3535

OECD Zinātnes nozare

  • 1.3 Fizika un astronomija

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Investigation of Photoluminescence and Raman Emission of Porous Gallium Phosphide”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo