Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Numerical modelling of melting front structures during floating zone silicon crystal growth

  • University of Latvia
  • Siltronic AG

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālam › Zinātniskais raksts (žurnālā) › koleģiāli recenzēts

5 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

We propose a mathematical model of the thin molten silicon film to describe the quasi-steady shape of the inhomogeneous structures on the open melting front of polycrystalline feed rod during the floating zone process for single crystal silicon growth. As a result, precise shapes of the phase boundaries in a three-phase environment on a local scale were determined with the use of moving meshes. The presence of the local structures influences the heat transfer on the open melting front. Consequently, the global phase boundary model can be adjusted, resulting in improved agreement with the experimentally measured interface shape.

OriģinālvalodaAngļu
Raksta numurs127788
ŽurnālsJournal of Crystal Growth
Sējums643
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - 1 okt. 2024

OECD Zinātnes nozare

  • 2.5 Materiālzinātne

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Numerical modelling of melting front structures during floating zone silicon crystal growth”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo