Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

Study of Excitons in SiO2. Luminescent Centres as Exciton Detectors

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālamZinātniskais raksts (žurnālā)koleģiāli recenzēts

26 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

The spectral and temperature dependences of the quantum yield of energy transfer to a luminescent detector by an exciton are studied in SiO2. The results obtained show, that in addition to the “hot” exciton migration there is a diffusion of the relaxed exciton. The exciton structure of SiO2, consists of three states, a self‐trapped exciton, a relaxed exciton, and a resonant exciton.

OriģinālvalodaAngļu
Lapas (no-līdz)541-549
Lapu skaits9
ŽurnālsPhysica Status Solidi (B): Basic Research
Sējums98
Izdevuma numurs2
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - 1 apr. 1980

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “Study of Excitons in SiO2. Luminescent Centres as Exciton Detectors”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo