Pāriet uz galveno navigāciju Pāriet uz meklēšanu Pāriet uz galveno saturu

The development of drift-strip detectors based on CdZnTe

  • V. Gostilo*
  • , C. Budtz-Jørgensen
  • , I. Kuvvetli
  • , D. Gryaznov
  • , I. Lisjutin
  • , A. Loupilov
  • *Šī darba korespondējošais autors
  • Baltic Scientific Instruments
  • Technical University of Denmark

Zinātniskās darbības rezultāts: Devums žurnālamZinātniskais raksts (žurnālā)koleģiāli recenzēts

11 Atsauces (Scopus)

Kopsavilkums

The design and technological development of a CdZnTe drift strip detector is described. The device is based on a monocrystal of dimensions 10 × 10 × 3 mm3 and has a pitch of 200 μm and a strip width of 100 μm. The strip length is 9.5 mm. The distribution of the leakage currents of the strips as well as distribution of interstrip resistances are presented. The full-width at half-maximum (FWHM) energy resolution at energies of 59.5 and 661 keV was 1.9 and 12 keV, respectively. At high energies, the resolution was found to be limited by the transport properties of the charge carriers.

OriģinālvalodaAngļu
Lapas (no-līdz)2530-2534
Lapu skaits5
ŽurnālsIEEE Transactions on Nuclear Science
Sējums49 II
Izdevuma numurs5
DOIs
Publikācijas statussPublicēts - okt. 2002
Ārēji publicēts

Nospiedums

Uzziniet vairāk par pētniecības tēmām “The development of drift-strip detectors based on CdZnTe”. Kopā tie veido unikālu nospiedumu.

Citēt šo